三星量产70纳米NAND闪存 年底推新品
来源:www.zol.com.cn 添加时间:2006-4-5 9:17:48 作者:风 编辑:风
三星公司近日宣布,将成为业内第一家采用70纳米生产工艺制造OneNAND闪存产品的半导体厂商。同时,三星还表示,新型闪存产品将全面提高效率达70%,此外新型闪存产品将为取代硬盘做准备。
目前,NAND闪存在业内还普遍采用90纳米生产工艺,是由三星公司在2004年4月首次推出的。三星公司称,目前70纳米工艺产品已经应用在超过100种移动产品的设计上,而新也应用需求也在推动诸如机顶盒、数字电视、及数码相机等从NOR闪存向NAND闪存应用过渡。 三星表示:OneNAND闪存产品能够结合NOR闪存快速读取的优点(比如应用在电脑启动方面)以及NAND快速写入能力以及高密度的优势。据厂商表示,新型70纳米闪存产品能够提供108MB/秒的读取速度,而现有的90纳米工艺产品的读取速度仅为68MB/秒,同时其写入速度可达9.3MB/秒 。
而三星内存芯片外型尺寸的缩小使公司能够在同一晶圆内放入更多的DIE并提供生产率同时减少OneNAND闪存的成本。三星称,目前的生产效率比90纳米产品提高70%,这使三星能够在迅速加剧的市场竞争中保持领先。据市场研究机构iSuppli显示,三星目前占有NAND闪存50%的市场份额,不过一旦英特尔与Micron合资的工厂开始生产后,将面临巨大的竞争压力。 三星现在是苹果iPod Nano及 Shuffle产品的主要闪存提供商,不过公司希望将闪存应用到更多新的已经需要闪存的数码产品领域,或者未来将需要闪存的产品领域中。在这些产品当中包括诸如固态硬盘,以及将硬盘技术结合的闪存合成盘等。据传闻称,微软有意将闪存混合体硬盘作为未来笔记本的通用配置之一,并且在2007年二、三季度推出Vista Premium操作系统时集成对它的支持。而到目前为止,三星是惟一一家生产这种硬盘的厂商。据三星表示,公司计划在今年年底正式销售这种支持闪存的硬盘。 NAND型闪存的技术特点 NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页,容量16KB;而大容量闪存采用2KB页时,则每个块包含64个页,容量128KB。 每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条,每条数据线每次传输(512+16)bit信息,8条就是(512+16)×8bit,也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计,如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存,容量1Gb,基本数据单位是(256+8)×16bit,还是512字节。 寻址时,NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包,每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大,一组8位地址只够寻址256个页,显然是不够的,因此通常一次地址传送需要分若干组,占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址,传送时分别分组,至少需要三次,占用三个周期。随着容量的增大,地址信息会更多,需要占用更多的时钟周期传输,因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大,寻址时间越长。而且,由于传送地址周期比其他存储介质长,因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。 baidu ad loading...
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