在英特尔春季IDF论坛上，三星闪存事业部首席工程师Dong Yang Lee表示，其DDR3内存模组已经准备开始量产，时间大概是今年下半年。

　　三星DDR3内存的初始速度为DDR3-800，随后会推出DDR3-1067和DDR3－1333，预计最高速产品规格将高达DDR3-1666。据预测，英特尔将在2007年下半年正式转向DDR3内存，这种内存将在2009年第一季度取代DDR2而正式成为主流。最近，业内也传出AMD未来将推出支持DDR3的AM3处理器的消息。

尔必达DDR3 SDRAM内存颗粒

　　目前，DDR2内存采用成熟的90nm工艺，预计DDR3内存将采用更先进的70nm工艺。这样，DDR3内存生产成本将进一步降低，同时工作电压和功耗进一步下降，对移动产品甚为适合。

　　从技术上来讲，DDR3是对DDR2的改进，从DDR2的4位预读提高为DDR3的8位预读，电压更降至1.5V。DDR3采用ODT（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装。